應(yīng)我校計(jì)算機(jī)與通信工程學(xué)院邀請(qǐng)，英國(guó)劍橋大學(xué)博士生導(dǎo)師黃勝明博士于2013年5月6日來(lái)校做學(xué)術(shù)報(bào)告，具體事宜如下：
報(bào)告題目：無(wú)線(xiàn)傳感器系統(tǒng)自動(dòng)發(fā)電能量收集和管理
報(bào) 告 人：英國(guó)劍橋大學(xué)博士生導(dǎo)師黃勝明博士
報(bào)告時(shí)間：2013年5月6日（周一）上午10:00
報(bào)告地點(diǎn)：科學(xué)校區(qū)計(jì)算機(jī)樓213會(huì)議室
科技處
計(jì)算機(jī)與通信工程學(xué)院
二零一三年五月三日
附：黃勝明簡(jiǎn)介
2002年1月至2002年12月，在劍橋大學(xué)工程系以博士后研究員的身份工作。主要從事AC/DC開(kāi)關(guān)電源控制器的研制，包括設(shè)計(jì)振動(dòng)器，參考源和分路調(diào)制器等。
1998年至2001年，在劍橋大學(xué)攻讀博士學(xué)位期間，從事新型半導(dǎo)體功率器件結(jié)構(gòu)和工藝技術(shù)研究。首次提出了MCST，IEC-IGBT，DUAL-CHANNEL IEGT 等新 型器件結(jié)構(gòu)，受到廣泛關(guān)注。在IEEE等國(guó)際知名期刊上發(fā)表論文13篇，其中多篇被引用。
1997年至1998年，在英國(guó)利物浦大學(xué)電工與電子學(xué)系以助理研究員身份從事槽柵型功率器件結(jié)構(gòu)和控制電路研究。
1987年至1997年，在陜西微電子學(xué)研究所工作，主要從事集成電路輻射效應(yīng)加固技術(shù)研究。作為課題負(fù)責(zé)人或主要參與者，曾獲得航天部科技成果獎(jiǎng)4項(xiàng) (二等獎(jiǎng) 1項(xiàng)，三等獎(jiǎng)3項(xiàng))，參與編寫(xiě)著作<<抗輻射電子學(xué)---輻射效應(yīng)及加固原理>> (國(guó)防 工業(yè)出版社，1998年)，并發(fā)表論文13篇。于1992年破格晉升高級(jí)工程師。其間于1993年9月至1994年6月，在南京航天管理干部學(xué)院脫產(chǎn)進(jìn)修學(xué)習(xí)。主要工作和成果如下:
· 半導(dǎo)體器件和集成電路的輻射效應(yīng)及其模型研究。
· 瞬態(tài)輻射環(huán)境下的電路模擬分析程序LSTRAC-2的開(kāi)發(fā)。 (此項(xiàng)目獲航天部1989年度科技進(jìn)步成果三等獎(jiǎng)，本人排名第2)
·瞬態(tài)輻射環(huán)境下CMOS電路閂鎖效應(yīng)及加固技術(shù)研究。
·集成電路單粒子效應(yīng)的計(jì)算機(jī)模擬和加固技術(shù)研究以及輻射效應(yīng)數(shù)據(jù)庫(kù)建立。
(此項(xiàng)目獲航天部1997年度科技進(jìn)步成果三等獎(jiǎng)，本人排名第1)
·集成電路總劑量輻射效應(yīng)及加固技術(shù)研究。
·抗單粒子加固的LC6508 SRAM及抗總劑量輻射加固的54HC/AC系列電路的研制。 (此項(xiàng)目獲航天部1997年度科技進(jìn)步成果二等獎(jiǎng)，本人排名第3)
·集成電路電磁脈沖效應(yīng)模型和保護(hù)方法研究。 (此項(xiàng)目獲航天部1997年度科技進(jìn)步成果三等獎(jiǎng)，本人排名第2)
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